Samsung 4GB SODIMM DDR3-1600 CL11 (M471B5173EB0-YK0)
DDR3-RAM
Produkttyp
DDR3-RAM
Speicherkapazität
4 GB
Bauform
SO-DIMM
Spannung
1,35 V
Hersteller
Samsung , Samsung Arbeitsspeicher (70)
Samsung 4GB SODIMM DDR3-1600 CL11 (M471B5173EB0-YK0) Testberichte
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Samsung Arbeitsspeicher
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Produktinformationen
Allgemeine Daten
Produkttyp
DDR3-RAM
Bauform
SO-DIMM
Speicher
Speicherkapazität
4 GB
Technische Daten
Bus-Taktfrequenz
1.600 MHz
Latenzzeit
CL 11
Spezifikation
PC3-12.800
Spannung
1,35 V
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